本文摘要：目前，LED芯片技术的发展关键在于基底材料和晶圆生长技术。基底材料除了传统的蓝宝石材料、硅(Si)、碳化硅(SiC)以外，氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当前研究的焦点。无论是重点灯光和整体灯光的大功率芯片，还是用作装饰灯光和一些非常简单辅助灯光的小功率芯片，技术提高的关键皆环绕如何研发出有更高效率、更加平稳的芯片。因此，提升LED芯片的效率沦为提高LED灯光整体技术指标的关键。

目前，LED芯片技术的发展关键在于基底材料和晶圆生长技术。基底材料除了传统的蓝宝石材料、硅(Si)、碳化硅(SiC)以外，氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当前研究的焦点。无论是重点灯光和整体灯光的大功率芯片，还是用作装饰灯光和一些非常简单辅助灯光的小功率芯片，技术提高的关键皆环绕如何研发出有更高效率、更加平稳的芯片。因此，提升LED芯片的效率沦为提高LED灯光整体技术指标的关键。

　　在短短数年内，利用芯片结构、表面粗化、多量子阱结构设计等一系列技术的改良，LED在闪烁效率经常出现重大突破，LED芯片结构的发展如图1右图。坚信随着该技术的大大成熟期，LED量子效率将不会获得更进一步的提升，LED芯片的闪烁效率也不会随之上升。　　薄膜芯片技术是生产超亮LED芯片的关键技术，可以增加侧向的出光损失，通过底部反射面可以使得多达97%的光从正面输入(图2)，不仅大大提高LED闪烁效率，也简陋透镜的设计。

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